由于体材料的生长非常困难，目前GaN基材料主要都是通过异质外延生长得到的，由于价格的优势，蓝宝石是最常用的衬底。

绝大多数的GaN基材料都是极性的c面外延片。在电子器件的运用上，正是需要其沿着C轴方向的极化效应产生的二维电子气。但是在光电器件的运用中，极化效应会引起内建电场，使得能带弯曲、倾斜、能级位置发生改变。而且较强的极化电场还会使正负载流子在空间上分离，电子与空穴波函数的交迭变小，从而使材料的发光效率大大降低。要避免极化效应，提高发光效率的最根本方法就是生长非极性的材料，所以除了适合于电子器件的常规C面GaN之外，生长非极性的材料也是这一领域的一个热点。而半极性GaN材料，和极性材料相比量子限制斯塔克效应可以降低80%，和非极性材料相比有更大的生长工艺窗口，也具有非常重要的研究意义。